Quantum Design中国携前沿单晶设备亮相第21届晶体生长与外延国际会议（ICCGE-21），共话晶体生长新未来
发布日期：2025-08-05
2025年8月3日~8日，第21届国际晶体生长与外延大会（ICCGE-21）正在西安曲江国际会议中心盛大举行。作为全球前沿高端设备的领军企业，Quantum Design China携多款单晶生长及测试产品参展（展位号：B9和B10），包括卤素灯浮区法单晶炉、氙灯光学浮区法单晶炉以、激光浮区法单晶炉、四电弧法单晶炉、X射线单晶定向系统及多功能物性测量系统，引发业界广泛关注。
国际晶体生长与外延大会（ICCGE）自1966年在美国波士顿首次举办以来，历经半个多世纪的积淀，已成为全球晶体生长与外延领域具有权威性和影响力的学术盛会。大会聚集全球科学家、工程师和产业精英，推动从基础研究到产业应用的全链条突破。值得关注的是，在2019年第19届大会期间，西北工业大学介万奇教授和山东大学王继扬教授代表中国硅酸盐学会晶体生长与材料分会，向国际晶体生长学会执委汇报了中国计划举办第21届国际晶体生长和外延大会(ICCGE-21)的申请，最终35位执委中24位投票(印度晶体生长学会获得11票)赞成中国西安举办2025年ICCGE-21，成功推动中国获得第21届举办权。这一结果不仅标志着国际社会对中国在晶体生长领域科研实力与产业贡献的高度认可，更彰显了中国在全球该领域日益提升的话语权与影响力。
Quantum Design中国诚邀各位业界同仁莅临 B09、B10 展位，在这座兼具悠久历史底蕴与现代发展活力的世界历史名城，共探晶体生长技术前沿。
展品亮点速览：
高精度光学浮区法单晶炉
采用特有的高效反射镜设计方案，具有加热效率高的特点，2个650W的卤素灯即可实现高达2100~2200°C的温度
设备占地空间小，操作简单，易于上手
设备采用独立支撑设计，也非常方便今后移机
设备内置闭循环液体冷却系统，无需外部水冷装置
设备采用触屏控制，日常操作非常方便
新一代高性能激光浮区法单晶炉-LFZ：
采用全新五束激光设计，确保熔区能量分布更加均匀
更加科学的激光光斑优化方案，有助于降低晶体生长过程中的热应力
采用了特有的实时温度集成控制系统
高温高压光学浮区法单晶炉：
采用垂直式光路设计方案，加热更均匀
可同时实现压力高达300bar（选配）和温度高达2500℃甚至更高（选配）；
能够独立控制不同气体的流速和流量，能够实现样品生长的气体定速、定量混合供气；
在保持氙灯输出功率恒定的情况下，采用调节光阑（shutter）的方式对熔区进行控温；
能够针对不同温度需求采用不同功率的氙灯，从而对灯泡进行有效利用，充分发挥灯泡使用效率和寿命；
拥有丰富的功能选件可进行选择和拓展，包括特殊的熔区红外测温选件、1×10-5mbar的高真空选件、实现氧含量达10-12PPM的气体除杂选件、对长成的单晶可提供高压氧环境退火装置选件等。
新一代X射线单晶定向系统-s-Laue / m-Laue
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