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近日,富士通(Fujitsu)联合代尔夫特理工大学(TU Delft)及QuTech团队,在量子计算领域取得里程碑式突破,成功开发并验证了具备量子门操作能力的芯片集成金刚石锡-空位(SnV)色心量子计算机原型系统。该突破性成果通过将金刚石自旋量子比特与低损耗光子集成回路相结合,为构建可扩展的分布式量子网络奠定了坚实基础。
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磁随机存储器(Magnetic random access memory,MRAM)是一种利用读取磁阻大小为原理的新型非易失性(Non-Volatile)随机存储器,
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光子晶体又称光子禁带材料。从结构上看,光子晶体是一类在光学尺度上具有周期性介电结构的人工设计和制造的晶体,其物理思想可类比半导体晶体。
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2019年4月19日,神华国华(北京)电力研究院顺利完成由Quantum Design中国(以下简称QDC)提供的μ-X360s残余应力分析仪的安装验收,QDC工程师紧接着对用户进行了相关知识和设备操作的全面培训。
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早期的磁隧道结依靠磁场实现磁化翻转,这种方式往往功耗较高,随着工艺尺寸减小, 写入电流将急剧增大, 难以在纳米级磁隧道结中推广应用。
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近期,美国阿贡实验室科研人员研究发现低价准二维三层化合物Pr4Ni3O8没有出现La4Ni3O8中的电荷条纹序,而是表现出金属性,相关结果发表在Nature Physics(Volume 13, pages 864–869 (2017), DOI: 10.1038/NPHYS4149)。
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2015年中国科学技术大学潘建伟、陆朝阳教授等人在WSe2二维单原子层半导体材料中发现非经典单光子发射,连接了量子光学和二维材料这两个重要领域,打开了一条通往新型光量子器件的道路。
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