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作为高温高压光学浮区法晶体生长领域的标杆设备，德国Scientific Instruments Dresden GmbH（以下简称：ScIDre）公司研发的HKZ系列高温高压光学浮区炉，凭借2000~3000℃高温、高达300 bar的生长腔压力，以及10-5 mbar高真空环境等优异的综合性能，成为超导材料、介电与磁性材料、氧化物、金属间化合物、锂电池电极材料等各类功能单晶制备的核心设备，广泛应用于国内外高校、科研院所及材料研发机构。
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制造高品质的固态硅基量子器件要求高分辨率的图形书写技术，同时要避免对基底材料的损害。来自IBM实验室的Rawlings等人利用SwissLitho公司生产的3D纳米结构高速直写机NanoFrazor，结合其高分辨热探针扫描技术和高效率的激光直写功能，制备出一种室温下基于点接触隧道结的单电子晶体管（SET）。
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几十年来，半导体异质结生长技术的不断进步驱动着电子和光电子科学研究和技术应用的不断发展。红外和太赫兹波段的许多应用利用了半导体量子阱中量子化状态间的跃迁（子带间跃迁）。
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2018年6月，德国neaspec公司根据客户研究需求，为客户量身定制的首套真空太赫兹波段近场光学显微系统（HV-THz-neaSNOM）在电子科技大学太赫兹中心成功安装。
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