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做锂电硅负极课题不用盲试!单颗粒高清直播观测,拆解电芯不可逆膨胀根源

发布日期:2026-07-24

随着动力电池向高续航、高能量密度方向迭代,硅碳负极已成为行业主流技术路线。锂离子电池石墨负极理论容量仅 372 mAh/g,硅材料理论容量高达 3579 mAh/g,是石墨近10倍,兼具储量丰富、嵌锂电位低等优势,是高能量密度负极核心材料。


但硅有致命短板:嵌脱锂会出现剧烈体积膨胀制约电池循环寿命,完全嵌锂体积膨胀超 300%,长期循环易出现颗粒粉化、电极脱层、导电网络断裂,电池寿命快速衰减等问题。目前研发人员普遍采用内置孔隙的 Si-C 复合材料缓解膨胀问题,可又存在另一难题,分不清电芯膨胀到底是硅颗粒本身胀大,还是电解液、SEI 膜等多重因素造成。传统表征手段(原位膨胀测试Dilatometry)只能表征电芯厚度变化,得到的是“混合叠加信号”,包含硅颗粒本征膨胀、SEI 膜生长、电解液产气、颗粒滑移重排等多重变量,研发人员无法定位失效根源,研发效率极低。


全新解决方案:电荷光度法 + 传统膨胀仪联用跨尺度表征体系


近日,illumion 联合瓦克化学(Wacker Chemie AG)推出一套完整硅负极膨胀机理研发表征方案,核心设备为基于电荷光度法的高分辨原位电池电荷成像系统-illumionONE,将微观单颗粒原位观测宏观电芯厚度测试两种手段互补,打通从微米颗粒到完整电芯的全尺度观测链路,解决传统设备 “只能看整体、看不清微观” 的缺陷


图 1 基于电荷光度法的高分辨原位电池电荷成像系统-illumionONE工作原理

 

1. 高分辨原位电池电荷成像系统

 

设备搭载光学可视扣式电池池,测试时向电极发射入射光;锂离子嵌入 / 脱出硅颗粒会改变材料电子结构,颗粒反射、散射光强度同步变化,系统实时捕捉光学信号,同步记录电化学曲线,直接可视化单颗粒充放电全过程的体积、形貌变化,同步匹配容量衰减等数据。

 

简单来说:传统膨胀仪只能看 “整片电极有多厚”,illumionONE 相当于给每一颗硅颗粒装了高清摄像头,实时直播单颗颗粒胀大、收缩全过程

 

2. 与传统单一膨胀测试核心优势对比



核心实验结论:


电芯首周不可逆膨胀与硅颗粒本身无关


电芯膨胀测试数据显示:微米硅单层首次嵌锂最大增厚 9.5 μm,整体厚度提升 35%,脱锂后仍残留 23% 不可逆形变;Si-C 复合电极单层峰值增厚 5.5 μm,不可逆厚度占总形变 33%。两类电芯均存在明显永久厚度增量,仅依靠宏观测试无法判断诱因。


图2 0.1 C次化成循环软包电芯原位膨胀测试(单层电极厚度变化):(a) 微米硅电极单层初始厚度 27.3 μm;(b) 硅碳复合电极单层初始厚度 30.3 μm;两类电极充放电后均出现不可逆膨胀形变。


高分辨原位电池电荷成像系统-illumionONE单颗粒观测结果给出明确答案:无论是致密微米硅,还是多孔 Si-C复合颗粒,完全脱锂后体积均可恢复至初始尺寸,硅颗粒自身膨胀行为完全可逆


研究团队证实:电芯不可逆膨胀全部来源于电极/芯层级副反应,主要为 SEI膜持续生长、电极内部颗粒滑移重组、电解液分解产气三类过程,与硅材料本征膨胀无关联。


图3 两种硅基负极材料高分辨原位电池电荷成像系统-illumionONE原位测试结果。


微米硅线性膨胀、Si-C复合材料非线性膨胀,孔隙缓冲效应显著


两种材料在颗粒、电芯双尺度膨胀动力学规律完全区分:

图4 0.5 C倍率下单颗粒体积变化与电压同步曲线:紫色曲线为颗粒体积变化率 ΔVolume (%),黑色曲线为电池电压;微米硅呈线性膨胀,Si-C存在明显增速拐点。


同时测试发现尺度膨胀幅度差异巨大:0.5 C工况下Si-C单颗粒整体膨胀 75%,单层电极仅增厚12%。电极孔隙大幅缓冲颗粒形变,仅依靠电芯厚度测试会严重低估硅真实膨胀水平,单颗粒表征是客观评价硅材料性能的必要手段。


膨胀曲线拐点成为Si-C复合材料定量设计标尺


Si-C膨胀曲线的增速突变拐点具备极高工程落地价值:拐点对应碳基体内部孔隙可容纳硅膨胀的极限负载量。研发人员可依托该拐点数值,定量调控复合材料孔隙率、孔径分布、硅掺杂比例,精准设定无额外外部膨胀的硅负载上限,从材料设计源头降低电芯循环膨胀失效风险。


行业价值与应用展望


单一表征手段存在明显观测盲区:电芯膨胀测试仅能反映电池宏观整体变化,高分辨原位电池电荷成像系统-illumionONE可观测单颗粒微观行为,二者联用可完整拆分膨胀现象的物理来源,有效区分材料固有特性与电极副反应干扰。


这套跨尺度双表征方案落地后,可为锂电行业带来三大核心价值:


 

参考文献:

[1]. Pujari, A., et al. (2026), Unveiling the anomalous expansion of silicon-carbon composites obtained by chemical vapor infiltration through operando charge photometry and dilatometry, J. Electrochem. Soc., 173: 090508