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Nat. Commun.|低温近场光学显微镜突破表征极限,原位揭示VO₂振荡器微观相变全过程

发布日期:2026-06-03

二氧化钒(VO₂)因在室温附近呈现尖锐的金属-绝缘体转变(IMT)及其衍生的负微分电阻与自持电振荡行为,是强关联氧化物电子学与神经形态计算领域制备振荡器件、神经元与耦合阵列的核心功能材料。长期以来,学术界仅能依托宏观电学测试获取 VO₂器件电压-时间振荡曲线,器件内部由电场驱动的金属/绝缘两相时空演化、导电通路形成断裂等微观相变机理始终缺乏直观实验佐证,纳米尺度相渗流动力学难以被直接观测,成为制约 VO₂振荡器件性能优化、参数可控化与规模化集成的关键痛点。


近期,德国马克斯·普朗克微结构物理研究所的Stuart S. P. Parkin教授团队与Ke Xiao博士等人借助Neaspec 低温散射式扫描近场光学显微镜cryogenic s-SNOM,在原位、实空间条件下直接观测并揭示了 VO₂双端器件中电流诱导自持电阻振荡的完整物理图像。相关成果以“Near field optical visualization of the nanoscale phase percolation dynamics of a VO2 oscillator”为题,发表于《Nature Communications》(2026, 17, 600),充分印证 cryogenic s-SNOM 在量子功能材料动态纳米表征领域的特有优势。


一、核心挑战与技术方案:如何“看见”纳米尺度的动态相变?


传统电学表征只能获得宏观的电压-时间振荡曲线,但振荡在器件内部究竟如何发生、发生在何处,一直是个黑箱。此前,关于 VO₂振荡机理只能依靠导电细丝假说开展理论推演,但对其空间构型、稳定性及其与振荡行为的直接关联缺乏实证。


在这项工作中,研究人员利用cryogenic s-SNOM(下图1),在20 nm的空间分辨率和3.3 ms/像素的时间分辨率下,对VO2器件进行了原位、实空间的纳米光学成像。该技术通过探测金属探针尖端局域增强的近场光信号,能够对样品的局域介电函数(与电子态密度直接相关)进行纳米尺度成像。结合低温(低至260 K)高真空(10-6 mbar)环境,研究者得以在VO₂的相变温区附近,稳定地对器件施加偏置电流,并同步获取其纳米光学响应的空间分布演化。


图1左)零差/伪外差s-SNOM光路示意图;右)低温散射式扫描近场光学显微镜cryogenic s-SNOM


二、关键发现:从静态异质到动态渗流


1. 振荡的先决条件:“持久性金属斑块”的形成


研究指出,稳定的电振荡并非在任意条件下发生。当初始电流超过某一阈值(如≥130 μA,285 K,图2)后,在电极间的会形成一个持久性金属斑块区域(PeMP)。该斑块在电流移除后依然保持金属性,其形成与电流焦耳热诱导的局域氧空位聚集有关。即使电流关闭,这个斑块依然存在,像一个被“写入”的记忆点。EDX mapping证实了该区域存在~4%的氧含量降低(图3)。这一非易失性的、局域“金属岛”的存在,是后续产生周期性振荡的物理基础。


2 纳米渗流效应直接可视化


图3 PeMP氧含量对s-SNOM信号(金属性)的影响


2. 振荡的驱动单元:“瞬态导电细丝”的钉扎与涨落


在形成PeMP后,当施加的直流电流降至特定范围(70-130 μA)内,器件进入振荡态。s-SNOM成像清晰地显示,此时在PeMP与两侧电极之间,会出现宽度仅为140-240 nm的瞬态导电细丝。这些细丝在固定位置反复形成与断裂,其动态过程直接对应着器件整体电阻的高频振荡。重要的是,在振荡温度下,细丝的形成位置被“钉扎”在PeMP边缘的少数特定点位,这解释了振荡的电学时空可重复性。而在更接近绝缘体到金属转变温度(IMT)时,细丝出现位置随机且不稳定,无法维持周期振荡。


3. 超越“活性区”:长程的振荡调制效应


为进一步探究振荡的电学时空特性,研究者利用s-SNOM的零差模式(homodyne,图1中关掉干涉镜臂的振荡)探测模式,提取了被器件本征振荡频率(~10.9 kHz)调制的近场光学边带信号。空间成像表明,该调制信号的强度在PeMP中心最强,并按高斯分布向四周衰减,其影响范围可延伸至活性区外约2 μm。这一现象表明,VO₂的振荡不仅是一个局域电学事件,其产生的热或电场波动还能对周围绝缘区域产生周期性调制,这为理解多个振荡器之间的物理耦合提供了直接证据。

 

三、cryogenic s-SNOM赋能新型功能氧化物前沿研发


本次突破性科研成果落地,NeaSpec s-SNOM起了关键作用。该研究利用s-SNOM特有的高频(光频)探测能力和锁相放大技术,能够解调出被低频(kHz级)电振荡所调制的SNOM信号。这不仅仅是成像,更是纳米尺度的、具有ms时间分辨能力的频谱分析,为理解动态系统的耦合机制提供了全新的工具。

 


四、从机理到应用:加速氧化物器件产业化研发进程


该研究依托 cryogenic s-SNOM 创新性的从实空间、纳米尺度完整揭示 VO₂自持振荡微观动力学机制,确立全新相渗流物理模型,填补该领域直接实验数据空白。从应用上来看,明晰 PeMP 与纳米细丝演化规律,可指导科研人员定向调控器件氧空位分布、抑制电学参数离散性,助力低噪声、高一致性 VO₂神经形态振荡器、仿生突触器件开发。


放眼前沿材料领域,cryogenic s-SNOM 凭借特有的低温原位动态近场表征能力,已成为强关联氧化物、二维量子材料、相变存储材料微观动态机理探究的核心科研设备,持续助力下一代新型微电子、存算一体器件的基础科研与技术迭代。


参考文献:

[1]. Tiwari, K., Wang, Z., Xie, Y. et al. Near field optical visualization of the nanoscale phase percolation dynamics of a VO₂ oscillator. Nat Commun 17, 600 (2026). https://doi.org/10.1038/s41467-026-68300-y