行业资讯｜携手 Hprobe 深耕磁性测量赛道，布局 MRAM 与 TMR 传感器测试新机遇
近期，Quantum Design代理品牌 Hprobe 发布全新行业通讯《磁力无限！》，依托母公司 Mycronic 集团资源加持，Hprobe 在 MRAM 存储、磁传感器晶圆测试领域持续加码布局，我司作为国内合作代理方，同步本次核心行业动态与前沿技术进展。
Hprobe CEO Laurent Lebrun表示：“我们将持续推进高速磁场测试解决方案，依托自主研发的3D 磁场技术，在精度、吞吐量与整体性能方面树立行业标杆。作为 MRAM 联盟的创始成员，我们也积极参与并推动了该联盟的成立，并在 Intermag 国际会议上组织了以"磁抗扰度"为主题的首场会议——这是加速 MRAM 大规模商用的重要一步。”
Hprobe CEO Laurent Lebrun
┌─ 本期要闻 ─┐
加入 Mycronic 后加速全球增长
Hprobe 正在扩大其工业制造与全球销售能力，以更好地服务全球客户。
SNIA 成立 MRAM 联盟 SIG，推动 MRAM 广泛应用
行业领军企业携手合作，加速 MRAM 的商用化进程。
磁传感器市场吸引力持续增强
TMR 传感器的快速增长正在推高晶圆级测试的需求。
加入 Mycronic 后加速全球增长
自加入 Mycronic 以来，Hprobe 进一步强化了全球组织架构。销售团队现已实现全球覆盖，并得到了不断扩大的分销商网络的支持。
在过去的几个月里，Hprobe 团队非常活跃，参加了全球各地的重要行业活动，包括：SEMICON China、SEMICON Korea、SEMICON Japan、SEMICON West、IEDM，以及 Intermag 国际会议。后续品牌还将亮相多场重磅行业活动，与全球各地的客户和合作伙伴面对面交流。
┌─ 即将举行的活动 ─┐
SEMICON Southeast Asia
IEDM Europe
MMM Conference
SPIE Photonics West
SNIA 成立 MRAM 联盟 SIG，推动 MRAM 广泛应用
由 SNIA 固态存储行业协会设立 MRAM 联盟专项工作组（SIG）现已正式运营。Hprobe 作为联盟创始核心成员，在加速 MRAM 在低功耗边缘设备到高性能计算系统、通过促进整个生态系统的协作、明确关键优先事项等各类应用中的推广，提升行业认知度，以及推动 MRAM 的落地实施中贡献了其在磁场测试领域的专业经验。
MRAM 联盟发展历程
MRAM 联盟是 MRAM 技术组（MRAM Technology Group）在内容与范围上的延伸。MRAM 技术组于 2024 年成立，是一个全球技术委员会，旨在应对 MRAM 商用化的关键挑战，首先从"磁抗扰度"这一关键问题入手。MRAM 技术组的重要里程碑之一是完成了业界创新性跨行业、同行评审的磁抗扰度研究，题为《外部磁场对自旋转移矩磁存储器工作的影响》，发表于 IEEE《电子器件》杂志（2024 年秋季刊）。
论文共同作者和贡献者（按字母顺序排列）包括：Applied Materials、CEA/SPINTEC、Everspin Technologies、GlobalFoundries、Hprobe、Huawei、IBM、Imec、KAIST、Netsol、NUMEM、Tohoku University、University of Arizona、University of Texas, Austin。
加入MRAM 联盟
公立研究实验室和学术机构可免费加入。
已加入 SNIA 的企业可立即加入 MRAM 联盟 SIG，无需额外费用。
Intermag 2026：首届 MRAM 联盟会议
经过数十年的发展，STT-MRAM 现已投入量产，但大规模商用仍面临挑战，尤其是在磁抗扰度方面。本次会议由 SNIA MRAM 联盟 SIG 组织，聚焦真实应用场景下的磁抗扰度问题，解答了围绕该技术的剩余疑虑与误解。来自产业链涵盖工业界与学术界各个环节的演讲嘉宾分享了应对这一挑战的实用方法，强调通过完善的规范、流程和标准化手段，磁抗扰度问题可以得到有效解决。
除了技术讨论之外，本次会议还展示了跨生态系统协作的价值，这种协作对于应对工程与商业层面的双重挑战至关重要。
会议演讲嘉宾
会议主席：Goran Mihajlovic（西部数据）
Ben Schmidt（NXP）—— 《MRAM Magnetic Allergies》
Abhishek Talapatra（GlobalFoundries）—— 《Standby Magnetic Immunity: Evaluation and Mitigation Strategy》
Jaehoon Kim（Samsung）—— 《Enhanced Magnetic Immunity in STT-MRAM via Wafer-Level Magnetic Shielding》
Siamak Salimy (Hprobe CTO)— 《MRAM Magnetic Immunity Under Control》
Dan Gopman（NIST）—— 《Inoculating Innovation: How Standards Resolve the MRAM Magnetic Immunity Challenge》
Pedram Khalili（Northwestern University）—— 《Current-induced switching of all-antiferromagnetic tunnel junctions》
磁传感器市场吸引力持续增强
特邀文章
当前 TMR 隧道磁阻传感器凭借高灵敏度、低功耗、适配 CMOS 工艺等优势，广泛用于位置、速度、电流、方位检测，车载、工业、消费电子市场需求持续攀升，带动晶圆级磁场测试设备需求大幅上涨。
Hprobe CTO Siamak Salimy 受邀在行业权威期刊《Chip Scale Review》发布专题文章《利用 3D 磁场激励进行 TMR 传感器的晶圆级测试》，文章指出 TMR 器件测试对三维磁场的强度、方向、均匀度控制要求极高，传统二维磁场设备无法满足量产检测标准，而 Hprobe 自研的 3D 磁场激励方案可实现高精度、可重复性晶圆测试，有效匹配当下 TMR 传感器产线检测需求。
相关文章分享：三维磁场精准控制：TMR 传感器从研发到量产的关键技术方案
(全文详见杂志 P.42)
Hprobe——晶圆级超快三维磁场探针台
Hprobe 拥有前沿的 3D 磁场发生器技术，能够产生具有极快振幅和角扫描速率的高强度磁场，并集成到专用于高通量运行的磁性器件晶圆级测试产品中，解决了磁性集成电路工业测试的诸多挑战。其特殊设计的磁场发生器和电源通过空气冷却运行，无需复杂的液体冷却装置，进一步提升了设备的实用性与可靠性。
Hprobe——晶圆级超快三维磁场探针台
技术特点：
快速：极高的磁场扫描速率，每秒高达10000步采样，满足高通量、大规模生产要求的测试需求；
灵活：具有独立可控空间轴的真正3D磁场，实现垂直和面内场生成的任何组合；
强大：单向超高强度磁场，结合极快的扫描速度，在20微秒内实现高达2特斯拉的扫场速率。
STT-MRAM的测试程序举例
TMR传感器的测试程序举例
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作为 Hprobe 国内合作代理， QuantumDesign中国可为国内 TMR 传感器、MRAM 存储企业提供全套晶圆磁场测试设备咨询、方案定制、技术对接服务，同步共享海外前沿行业标准与测试工艺，推动中国半导体及磁传感器行业的技术升级与产业创新。
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