THz-neaSCOPE+xs
——纳米尺度太赫兹 （THz） 近场成像和光谱多功能平台
THz-neaSCOPE+s可在纳米尺度上实现太赫兹成像和光谱。该设备基于完全集成的紧凑型 THz-TDS 系统，可直接用于半导体纳米结构、二维纳米材料和新型复合材料系统的电导率研究。THz-neaSCOPE+s同时支持用户自由耦合太赫兹和亚太赫兹源，并集成了市面上SPM仪器中优秀的软件界面，是一款强大的纳米级太赫兹分析仪器。
——纳米尺度太赫兹 （THz） 近场成像和光谱多功能平台
THz-neaSCOPE+s可在纳米尺度上实现太赫兹成像和光谱。该设备基于完全集成的紧凑型 THz-TDS 系统，可直接用于半导体纳米结构、二维纳米材料和新型复合材料系统的电导率研究。THz-neaSCOPE+s同时支持用户自由耦合太赫兹和亚太赫兹源，并集成了市面上SPM仪器中优秀的软件界面，是一款强大的纳米级太赫兹分析仪器。
纳米尺度的太赫兹分析：
• 全反射光路，大程度上兼容宽波和单波太赫兹源，覆盖全部光谱范围。
• 模块化设计和多光束路径设计，支持多种分析功能，包括光电流、泵浦以及纳米FTIR。
• 基于THz-TDS 技术，实现紧凑且完全集成的太赫兹纳米光谱。
半导体结构表征—30nm空间分辨率
THz-NeaSNOM近场光学显微镜（上图左）对半导体结构的测量结果图。
该结果表明硅衬底（上图左，灰色）上的SiO（一氧化硅）的尺寸大约在1.5×1 平方微米。通过分析左侧的高度数据，可以知道该一氧化硅结构仅仅只有大约22纳米厚度。虽然该层状结构非常薄，但THz-neaSCOPE+s近场光学显微镜（上图左）在测量高度的同时仍然能够记录该结构与衬底的近场光学信号的明显不同衬度的结果。THz-neaSCOPE+s近场光学显微镜不仅在测量非常薄样品的时候灵敏度非常高，而且通过分析近场光学信号数据（上图右）也证实了它超高的空间分辨率（~25-30nm）。
超快机制研究纳米线 Nature Photonics 8,841(2014)
